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euv波長
ProzessderEUVLithografiemitLasernvonTRUMPF.EUV光刻的一大挑戰在於產生13.5奈米的最佳波長光束。解決方案:透過雷射射束生成提供極短波長光束的發光電漿。但 ...,2021年2月15日—因為是第一次採用雷射電漿(laser-producedplasma,LPP)技術來產生波長為13.5奈米的...
新一代製程的關鍵:13.5奈米的「極端」紫外光
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2019年1月25日—它的優點是波長的匹配:其波長13.5奈米和EUV常用的光學元件(通常是鉬和矽的多層結構)搭配的很好,反射率可以高達60%以上。它的缺點是副產物:受雷射照射後 ...
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