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euv波長
ProzessderEUVLithografiemitLasernvonTRUMPF.EUV光刻的一大挑戰在於產生13.5奈米的最佳波長光束。解決方案:透過雷射射束生成提供極短波長光束的發光電漿。但 ...,2021年2月15日—因為是第一次採用雷射電漿(laser-producedplasma,LPP)技術來產生波長為13.5奈米的...
極紫外光刻Extreme Ultraviolet Lithography
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EUV(10-121nm)是比X射線(0.1-10nm)長、比氫的萊曼α線短的波段。EUV光譜不太單色,也不像DUV激光源那樣光譜純淨,但使用的波長通常被認為是13.5nm。實際上 ...
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