濕式微影

2007年5月23日 — 過去乾式曝光顯影是在無塵室中，以空氣為媒介進行，透過光罩在晶圓上顯影；而浸潤式微影(immersion lithography)則是以水為透鏡，在晶圓與光源間注入 ...

由 吳政三 著作 · 2012 — ... 式電子束微影技. 術由於技術門檻相當高，加上光罩製作不易，幾乎已經出局 ... 本研究之光罩. Page 41. -28-. 在蝕刻步驟將採用乾蝕刻方式，以避免濕式蝕刻所造成之底切(Under.

顯影：表面張力效應、濕式顯影限制了最後光阻應用的深寬比（aspect ratio）。 6. 蝕刻：濕式蝕刻會造成底切（undercut），乾式蝕刻也有深寬比限制。 ULSI元件量產用的 ...

過去半導體晶片製程中，主要採用乾式曝光，以空氣為鏡頭和晶圓之間的介質，把光罩上的圖形在晶圓上成像；而浸潤式微影則是以水為介質，在鏡頭和晶圓之間注入水，光的波長在 ...

2012年12月20日 — 目前我們已知，結合浸潤式微影技術與多重圖形(multiple-patterning)技術──也就是將光罩分成多個部分，分在不同的步驟進行曝光──標準193奈米微影能延伸 ...

2022年8月14日 — 大量的資金投入，各大公司的研發都苦於解決問題時，林本堅院士從微影技術上下手，提出從傳統的乾式微影，轉移成浸潤式濕式微影技術。這項技術的原理 ...

半導體基本製程大略可分為薄膜、. 擴散、微影、蝕刻及化學機械研磨等模. 組，所使用之濕式化學品如圖一所示。 以下將針對各模組在其製程所需之化學. 品做剖析，並簡述 ...

濕式蝕刻製程的功能，是將晶片浸沒於化學溶液中，將進行微影製程前所沈積的薄膜，把沒有被光阻覆蓋及保護的部分，利化學溶液與晶片表面產生氧化還原作用的化學反應的 ...

由 劉皓恆 著作 · 2005 — Top-down 的方式是將塊材利用各種方法定義圖案再以乾、濕式蝕刻的方式雕塑出立體 ... 圖2-12 多針式的沾筆式微影微影技術[31]. 圖2-13 利用電壓進行沾筆式奈米微影技術 ...

由 林育詩 著作 · 2008 — 浸潤式微影利用簡單的物理光學原理，包含折射、繞射與鑑別度，可以. 同時改善解析度和焦距深度。使用原有微影系統，搭配浸潤式微影，可以達到更. 短光源波長的效果，對IC ...