台積電浸潤式曝光

2023年3月10日—台積電前研發副總經理、中央研究院院士林本堅成功研發「浸潤式微影技術（immersionlithography）」，在保持使用ArF光源的條件下，改以「水」取代空氣 ...,林本堅提出以水為介質的193奈米浸潤式曝光機，是半導體製程技術可以一直微縮至28奈米、20奈米、16奈米等先進製程的重要關鍵突破，根據IEEE統計，現今半導體產業85%的電晶體 ...,難能可貴的是，台積電雖然在193奈米浸潤式微影曝光機成功引領新技術，但並未獨...

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全球瘋搶EUV 曝光機！究竟是摩爾定律的救命曙光

2023年3月10日 — 台積電前研發副總經理、中央研究院院士林本堅成功研發「浸潤式微影技術（immersion lithography）」，在保持使用ArF 光源的條件下，改以「水」取代空氣 ...

創造半導體兩次大躍進台積電林本堅10奈米要再衝一次

林本堅提出以水為介質的193奈米浸潤式曝光機，是半導體製程技術可以一直微縮至28奈米、20奈米、16奈米等先進製程的重要關鍵突破，根據IEEE統計，現今半導體產業85%的電晶體 ...

林本堅以浸潤式微影技術開創產業未來

難能可貴的是，台積電雖然在193奈米浸潤式微影曝光機成功引領新技術，但並未獨占此專利，林本堅表示：「專利最好是能達到合作功效，而非拿來抵制！」 2005年底，在半導體 ...

細數台積熊本廠關鍵技術浸潤式曝光與多重圖案各擁優勢

2024年7月11日 — 台積電日本子公司JASM在日本熊本縣第一晶圓廠即將於2024年內量產，這座晶圓廠使用的浸潤式曝光顯影技術，及多重圖案化（Multiple patterning）技術是 ...

1612奈米製程

台積公司於2008年領先專業積體電路製造服務領域，採用40奈米製程技術為多家客戶量產晶片。此一技術結合了193奈米浸潤式曝光顯影製程以及...

整理包／英特爾拿下全球首台高數值孔徑EUV設備一 ...

2024年5月16日 — 當製程推進到2奈米或更小的尺寸，就必須採用高數值孔徑High-NA EUV 曝光機，因此該機台成為台積電、英特爾、三星三大晶圓廠搶進2奈米以下先進製程的必備 ...

次10奈米世代的半導體怎麼做？

2017年6月6日 — 除了上述的浸潤式蝕刻技術，面對當今10奈米以下的節點，半導體製程有兩大重點：多重曝光和極端紫外光(EUV)，兩者的概念都相當直觀。如圖二所示，原本製程 ...

想說服我的老闆阻止我」林本堅當時到台積電工作兩年

2022年6月10日 — 在台積電支持下，林本堅和組內的同仁寫好幾篇論文，從理論的觀點證明浸潤式微影的可行性及優勢，後來說服ASML放棄原先157奈米乾式微影曝光機的研發，轉向 ...

台積公司表示浸潤式曝光顯影技術不久後可邁入量產

2006年2月22日 — 浸潤式曝光顯影技術係使用水或類似的清澈液體當作成像的介質。在曝光機台的鏡頭與晶圓片間加入水作為介質，能夠得到更高解析度的光源，以便製造面積更小 ...