euv光源

2023年12月21日—因應半導體微影技術發展之潮流，國家度量衡標準實驗室近年來啟動發展極紫外(EUV)波段之光輻射量測技術。而EUV波段之光源與感測器，無疑是發展EUV相關 ...,在高次諧波產生極紫外光(EUV)之過程中，較高光子能量的EUV轉換效率較低，故大多數桌上型高次諧波光源的應用僅僅限於光子能量較低的EUV。然而轉換效率低並非由於缺乏高亮度 ...,2020年10月22日—此時準分子雷射(excimerlaser)的光源就應運而生了，它是利用惰...

參考資訊如下
(2021年9月16日) 極紫外(EUV)光源與感測應用研討會

2023年12月21日 — 因應半導體微影技術發展之潮流，國家度量衡標準實驗室近年來啟動發展極紫外(EUV)波段之光輻射量測技術。而EUV波段之光源與感測器，無疑是發展EUV相關 ...

陳明彰教授團隊─ 一光圈突破了桌上型極紫外光產生的能量 ...

在高次諧波產生極紫外光(EUV)之過程中，較高光子能量的EUV轉換效率較低，故大多數桌上型高次諧波光源的應用僅僅限於光子能量較低的EUV。然而轉換效率低並非由於缺乏高亮度 ...

摩爾定律的華麗謝幕：EUV微影機

2020年10月22日 — 此時準分子雷射(excimer laser)的光源就應運而生了，它是利用惰性氣體與鹵素分子混合，藉由電子束的能量激發，而產生深紫外光的波長，如利用氟化氪(KrF) ...

Centura Tetra EUV 先進光罩蝕刻系統

極紫外線(EUV) 光罩是以新式微影系統，透過高能量、短波長的光源，將電路圖案轉印到晶圓。EUV 光源波長比目前深紫外線微影製程的光源波長短少約15 倍，因此能持續將線 ...

挽救摩爾定律：ASML 極紫外光（EUV）微影技術量產的開發歷程

2021年2月15日 — EUV 微影技術採用錫的電漿來產生波長為13.5 奈米的光源，以及用鉬矽多層反射薄膜來把光傳遞到晶片上。不同於一般的紫外光微影技術，EUV 微影技術得在低 ...

全球瘋搶EUV 曝光機！究竟是摩爾定律的救命曙光

2023年3月10日 — 極紫外光（Extreme ultraviolet, EUV）是波長小於13.5 奈米的光，使用EUV 作為光源的曝光機，即為EUV 曝光機。由於造價昂貴、製程繁複、貨源稀少 ...

藉助CO 2 高功率雷射系統和錫產生EUV輻射

製造晶片時TRUMPF高功率雷射放大器發揮關鍵作用：因為藉助它可生成發光等離子體，從而提供極紫外光(EUV) 曝光晶圓。TRUMPF與全球最大的光刻系統製造商ASML以及光學元件製造 ...

極紫外光微影製程

EUV微影製程選擇第二中作法,將光源波長降低13.5奈米來提升電路圖案解析度，由於EUV波長太短,非常容易被大氣吸收,因此此道製程需要在真空環境中完成。目前EUV微影製程機台由 ...