euv波長

ProzessderEUVLithografiemitLasernvonTRUMPF.EUV光刻的一大挑戰在於產生13.5奈米的最佳波長光束。解決方案：透過雷射射束生成提供極短波長光束的發光電漿。但 ...,2021年2月15日—因為是第一次採用雷射電漿（laser-producedplasma，LPP）技術來產生波長為13.5奈米的EUV光，3100的光源非常弱，最佳狀態時只能輸出10瓦的功率，是 ...,EUV（10-121nm）是比X射線（0.1-10nm）長、比氫的萊曼α線短的波段。EUV光譜不太單色，也不像DU...

參考資訊如下
藉助CO 2 高功率雷射系統和錫產生EUV輻射

Prozess der EUV Lithografie mit Lasern von TRUMPF. EUV光刻的一大挑戰在於產生13.5奈米的最佳波長光束。解決方案：透過雷射射束生成提供極短波長光束的發光電漿。但 ...

挽救摩爾定律：ASML 極紫外光（EUV）微影技術量產的開發歷程

2021年2月15日 — 因為是第一次採用雷射電漿（laser-produced plasma，LPP）技術來產生波長為13.5 奈米的EUV 光，3100 的光源非常弱，最佳狀態時只能輸出10 瓦的功率，是 ...

極紫外光刻Extreme Ultraviolet Lithography

EUV（10-121 nm）是比X 射線（0.1-10 nm）長、比氫的萊曼α 線短的波段。 EUV 光譜不太單色，也不像DUV 激光源那樣光譜純淨，但使用的波長通常被認為是13.5 nm。實際上 ...

EUV光刻，最終勝出！

從上圖也能看到，從193nm到13.5nm光波長之間，出現了一大段“真空地帶”，光波長從193nm到EUV的13.5nm中間，曾經歷過哪些波折，留下了哪些故事。 時間退回到20世紀60年代，彼 ...

極紫外光微影製程

EUV微影製程選擇第二中作法,將光源波長降低13.5奈米來提升電路圖案解析度，由於EUV波長太短,非常容易被大氣吸收,因此此道製程需要在真空環境中完成。目前EUV微影製程機台由 ...

全球瘋搶EUV 曝光機！究竟是摩爾定律的救命曙光

2023年3月10日 — 極紫外光（Extreme ultraviolet, EUV）是波長小於13.5 奈米的光，使用EUV 作為光源的曝光機，即為EUV 曝光機。由於造價昂貴、製程繁複、貨源稀少 ...

EUV是個什麼酷東西？ — 決定未來半導體先進製程的關鍵技術

2020年12月4日 — EUV，全名為Extreme Ultraviolet，中文叫做「極紫外光」，是一種波長極短的紫外光，一般生活中要塗乳液防曬的紫外線波長約在100~400奈米，而極紫外光才 ...

極紫外輻射

極紫外輻射（英語：Extreme ultraviolet radiation）又稱極紫外光或高能紫外線輻射，簡稱EUV、XUV，是波長在124nm到10nm之間的電磁輻射，對應光子能量為10eV到124eV。

摩爾定律的華麗謝幕：EUV微影機

2020年10月22日 — 微影機的光源坐落於紫外光，波長介於10~400奈米之間。從早期的光源來自於汞燈的g-line及i-line，一旦製程線寬小於100奈米，所使用的光源 ...

新一代製程的關鍵：13.5奈米的「極端」紫外光

2019年1月25日 — 它的優點是波長的匹配：其波長13.5奈米和EUV常用的光學元件(通常是鉬和矽的多層結構)搭配的很好，反射率可以高達60%以上。它的缺點是副產物：受雷射照射後 ...