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euv波長
ProzessderEUVLithografiemitLasernvonTRUMPF.EUV光刻的一大挑戰在於產生13.5奈米的最佳波長光束。解決方案:透過雷射射束生成提供極短波長光束的發光電漿。但 ...,2021年2月15日—因為是第一次採用雷射電漿(laser-producedplasma,LPP)技術來產生波長為13.5奈米的...
極紫外光微影製程
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EUV微影製程選擇第二中作法,將光源波長降低13.5奈米來提升電路圖案解析度,由於EUV波長太短,非常容易被大氣吸收,因此此道製程需要在真空環境中完成。目前EUV微影製程機台由 ...
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