半導體ldd
2022年12月17日—半導體製程中之汲極輕滲雜:LightlyDopedDrain.(LDD)有何作用???•因為GATE愈做愈小,使得source(S)和drain(D)兩端的距離變.得很 ...,2023年7月5日—5.LDD(→S/Dextension).LightlyDopedDrain輕參雜汲極;產生梯度結構,使Gate與Drain接面的峰值電場下降...
輕摻汲極與袋型結構佈植濃度對超薄型矽覆蓋絕緣層元件 ...
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此兩種製程的功用,LDD主要是防止熱載子效應,並提升元件電性;而Pocket主要目的是抑制汲極引起的位能下降(Drain-InducedBarrierLowering,DIBL)造成臨界電壓的變化, ...
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