半導體ldd
此兩種製程的功用,LDD主要是防止熱載子效應,並提升元件電性;而Pocket主要目的是抑制汲極引起的位能下降(Drain-InducedBarrierLowering,DIBL)造成臨界電壓的變化, ...,2018年11月8日—于是乎诞生了LDD(LowDopedDrain),做了一个低掺杂的漏极做为N+_S/D的Junction...
半導體製程學習筆記
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2023年7月5日—5.LDD(→S/Dextension).LightlyDopedDrain輕參雜汲極;產生梯度結構,使Gate與Drain接面的峰值電場下降。防止熱載子效應(如果沒做LDD,高濃度參 ...
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