![半導體ldd](https://host.easylife.tw/pics/author/yohnu1/201803/Font/first.png)
半導體ldd
2022年12月17日—半導體製程中之汲極輕滲雜:LightlyDopedDrain.(LDD)有何作用???•因為GATE愈做愈小,使得source(S)和drain(D)兩端的距離變.得很 ...,2023年7月5日—5.LDD(→S/Dextension).LightlyDopedDrain輕參雜汲極;產生梯度結構,使Gate與Drain接面的峰值電場下降...
TW201436052A
- pocket implant
- spacer用途
- halo implant作用
- 大馬士革半導體
- imd半導體
- 側壁空間層
- sab半導體
- NAPT 半導體
- 何謂thermal budget
- sidewall spacer用途
- ldd半導體
- SRO 半導體
- poly半導體
- 半導體心得
- 半導體ldd
- usg半導體
- 零基礎入門晶片製造行業
- corner rounding半導體
- LDD 半導體
- ild半導體
- 半導體製程順序
- photo spacer中文
- photo spacer製程
- 半導體contact via
- rpo製程
...LDD)區,設於源極區或汲極區與通道區之間,其中輕摻雜汲極區位於間隔結構之下,其中摻雜源極區或汲極區的N型摻質的平均摻雜濃度顯著地高於輕摻雜汲極區的N型摻質的平均 ...
** 本站引用參考文章部分資訊,基於少量部分引用原則,為了避免造成過多外部連結,保留參考來源資訊而不直接連結,也請見諒 **