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半導體ldd
2022年12月17日—半導體製程中之汲極輕滲雜:LightlyDopedDrain.(LDD)有何作用???•因為GATE愈做愈小,使得source(S)和drain(D)兩端的距離變.得很 ...,2023年7月5日—5.LDD(→S/Dextension).LightlyDopedDrain輕參雜汲極;產生梯度結構,使Gate與Drain接面的峰值電場下降...
爲什麼NMOS中需要LDD摻雜,而PMOS中不需要?
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2021年3月2日—輕摻雜漏區(LightlyDopedDrain,LDD)結構,是MOSFET爲了減弱漏區電場、以改進熱電子退化效應所採取的一種結構,即是在溝道中靠近漏極的附近設置一個低 ...
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