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半導體ldd
2022年12月17日—半導體製程中之汲極輕滲雜:LightlyDopedDrain.(LDD)有何作用???•因為GATE愈做愈小,使得source(S)和drain(D)兩端的距離變.得很 ...,2023年7月5日—5.LDD(→S/Dextension).LightlyDopedDrain輕參雜汲極;產生梯度結構,使Gate與Drain接面的峰值電場下降...
元件物理基礎The scale of things Crystal Structure ...
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輕微摻雜汲極法(LightlyDopedDrain,LDD).–所謂LDD法乃是在原來的MOS的源極和汲極接近通道的地方,在增.加一組摻雜程度較原來n型的源極與汲極為低的n型區。–有LDD ...
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