ild半導體

2021年6月14日 — 另一方面，越來越薄的ILD層，也使晶片製造者必須更慎重地應對由電漿誘發的損傷(PID)。ILD薄膜在整合過程中通過側壁暴露在蝕刻和灰化步驟中，這會影響薄膜 ...

在半導體製程中會沉積許多的薄膜在晶圓上以作為介電層、障壁層或導電層。當這些 ... 故在多層導線結構製程之IMD與ILD介電層平坦化及鎢金屬栓塞(W plugs)之製作，以CMP ...

本發明提供一種半導體結構，其包括具有第一表面之半導體層以及界定該半導體層的第一表面上的金屬閘極之層間介電層(ILD)。該金屬閘極包括高k介電層、阻障層以及功函數 ...

... ILD:金屬層間介電質層. Page 2. 3. LPCVD 系統. 加熱線圈. 石英. 管. 至幫浦. 壓力計. 製程氣體入口. 裝載門. 晶圓. 中心區. 均溫區. 距離. 溫度. 晶舟. 4. 電漿增強型CVD ...

一些實施例係關於一種半導體結構，其包含：位於基板上的第一層間介電質(ILD)層。下導電導孔設置於第一ILD層內。複數個導電線路位於第一ILD層上。第二ILD層側向設置於 ...

由 簡昭欣 著作 · 2018 — ILD層250之具體材料包含二氧化. 矽、氮氧化矽或碳氧化矽。圖2G之結構接著通過平坦化操. 作,例如:CMP與閘極接觸形成。 【0031】 ILD層250係被圖案化,以移除部份之ILD層. 250 ...

化學機械平坦化（英語：Chemical-Mechanical Planarization, CMP），又稱化學機械研磨（Chemical-Mechanical Polishing），是半導體 ... ILD），其基本機理是Cook理論。磨料 ...

... ILD）包括. PMD 和IMD. • 金屬沉積前的介電質層（Pre-metal dielectric） : PMD ... 的氧化物製程被廣泛地使用在半導體工. 業上，特別是在STI 和PMD 的應用上. • 傳送帶 ...

## **MOS** - Metal-Oxide-Semiconductor - 金屬氧化物半導體- 有nMOS與pMOS - CMOS ... ILD - 以CVD方式沉積磷矽玻璃PSG(用來捕捉Na、K等鹼金族離子)後再CMP平坦化形成 ...