淺溝槽隔離

浅槽隔离，即shallowtrenchisolation，简称STI。通常用于0.25um以下工艺，通过利用氮化硅掩膜经过淀积、图形化、刻蚀硅后形成槽，并在槽中填充淀积氧化物，用于与硅 ...,一种半导体组件的制造中形成一浅沟槽隔离的方法：首先提供一半导体底材，其上具有一垫氧层；然后，形成一氮化物层于垫氧层上；接着，形成且限定一光阻层于氮化物层上； ...,淺槽隔離，即shallowtrenchisolation，簡稱STI。通常用於0.25um以下工藝，通過利用...

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浅槽隔离

浅槽隔离，即shallow trench isolation，简称STI。通常用于0.25um以下工艺，通过利用氮化硅掩膜经过淀积、图形化、刻蚀硅后形成槽，并在槽中填充淀积氧化物，用于与硅 ...

CN1400650A

一种半导体组件的制造中形成一浅沟槽隔离的方法：首先提供一半导体底材，其上具有一垫氧层；然后，形成一氮化物层于垫氧层上；接着，形成且限定一光阻层于氮化物层上； ...

淺槽隔離

淺槽隔離，即shallow trench isolation，簡稱STI。通常用於0.25um以下工藝，通過利用氮化矽掩膜經過澱積、圖形化、刻蝕矽後形成槽，並在槽中填充澱積氧化物， ...

淺槽隔離_百度百科

淺槽隔離，即shallow trench isolation，簡稱STI。通常用於0.25um以下工藝，通過利用氮化硅掩膜經過澱積、圖形化、刻蝕硅後形成槽，並在槽中填充澱積氧化物， ...

CMOS淺溝槽隔離氧化層之高度差對元件特性之研究

本研究探討場發射金屬氧化半導電晶體（MOSFET）淺溝槽隔離絕緣層（Shallow Trench Isolation，STI）與鄰近電晶體主動區的高度差（Step-height）對元件特性的影響。

浅槽隔离工艺（STI）

2010年11月28日 — 相信很多在现在看工艺厂的相关文档时，会看到有些图上面标有STI的注释，STI是英文shallow trench isolation的简称，翻译过来为浅槽隔离工艺。

淺溝渠元件隔離技術現況與挑戰

從IC元件設計的觀點而言，淺溝. 渠隔離技術(Shallow Trench Isolation,. STI)比起先前區域性矽表面氧化隔離技. 術(LOCal Oxidation of Silicon, LOCOS). 擁有多項的製程及 ...