![淺溝槽隔離](https://host.easylife.tw/files/RiotIsolator.png)
淺溝槽隔離
本研究探討場發射金屬氧化半導電晶體(MOSFET)淺溝槽隔離絕緣層(ShallowTrenchIsolation,STI)與鄰近電晶體主動區的高度差(Step-height)對元件特性的影響。,一种半导体组件的制造中形成一浅沟槽隔离的方法:首先提供一半导体底材,其上具有一垫氧层;然后,形...
浅槽隔离工艺(STI)
- shallow trench isolation中文
- ild半導體
- shallow trench isolation半導體
- hump effect
- shallow trench isolation半導體
- 屏蔽氧化層
- locos製程
- locos sti比較
- hump effect
- epi製程
- 淺溝槽隔離
- 淺溝槽隔離
- 淺溝槽隔離
- deep trench isolation
- shallow trench isolation中文
- corner rounding半導體
- usg半導體
- corner rounding半導體
- sti usg
- shallow trench isolation中文
- hump effect
- shallow trench isolation半導體
- shallow trench isolation半導体
- locos sti比較
- locos製程
2010年11月28日—相信很多在现在看工艺厂的相关文档时,会看到有些图上面标有STI的注释,STI是英文shallowtrenchisolation的简称,翻译过来为浅槽隔离工艺。
** 本站引用參考文章部分資訊,基於少量部分引用原則,為了避免造成過多外部連結,保留參考來源資訊而不直接連結,也請見諒 **