淺溝槽隔離
淺槽隔離,即shallowtrenchisolation,簡稱STI。通常用於0.25um以下工藝,通過利用氮化硅掩膜經過澱積、圖形化、刻蝕硅後形成槽,並在槽中填充澱積氧化物, ...,一种半导体组件的制造中形成一浅沟槽隔离的方法:首先提供一半导体底材,其上具有一垫氧层;然后,形成...
CMOS淺溝槽隔離氧化層之高度差對元件特性之研究
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本研究探討場發射金屬氧化半導電晶體(MOSFET)淺溝槽隔離絕緣層(ShallowTrenchIsolation,STI)與鄰近電晶體主動區的高度差(Step-height)對元件特性的影響。
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