淺溝槽絕緣sti

淺溝槽絕緣(STI).▫LOCOS和PBL運作地很好當圖形尺寸>0.5μm時.▫當圖形尺寸<0.35μm為不能容忍的.▫矽蝕刻及淺溝槽的氧化被研究來減少氧化物.侵入.▫STI製程 ...,本研究探討場發射金屬氧化半導電晶體（MOSFET）淺溝槽隔離絕緣層（ShallowTrenchIsolation，STI）與鄰近電晶體主動區的高度差（Step-height）對元件特性的影響。,在過去的STI的製造方法中，首先，在矽基板等半導體基板上，積層矽氧化膜、多晶矽膜及矽氮化膜。接著...

參考資訊如下
Ch13 Process Integration

淺溝槽絕緣(STI). ▫ LOCOS 和PBL 運作地很好當圖形尺寸&gt; 0.5 μm 時. ▫ 當圖形尺寸&lt; 0.35 μm為不能容忍的. ▫ 矽蝕刻及淺溝槽的氧化被研究來減少氧化物. 侵入. ▫ STI製程 ...

CMOS淺溝槽隔離氧化層之高度差對元件特性之研究

本研究探討場發射金屬氧化半導電晶體（MOSFET）淺溝槽隔離絕緣層（Shallow Trench Isolation，STI）與鄰近電晶體主動區的高度差（Step-height）對元件特性的影響。

TWI390665B

在過去的STI的製造方法中，首先，在矽基板等半導體基板上，積層矽氧化膜、多晶矽膜及矽氮化膜。接著，藉由光蝕刻技術來形成使元件分離區域開口的光阻層，將此作為光罩，對 ...

工學院半導體材料與製程設備學程碩士論文

由 嚴永民 著作 · 2011 — ... 絕緣的淺溝槽隔離製程(Shallow. Trench Isolation, STI)也就變得愈來愈重要。 然而，淺溝槽隔離技術有許多問題尚需解決，應力之問題是一個. 重要研究方向。應力會造成如 ...

浅槽隔离

浅槽隔离(Shallow Trench Isolation；STI)技术制作主动区域之间的绝缘结构已逐渐被普遍采用。STI结构的形成通常是先在半导体基底上沉积一层氮化硅层，然后图案化此氮化硅层 ...

淺槽隔離

淺槽隔離(Shallow Trench Isolation；STI)技術製作主動區域之間的絕緣結構已逐漸被普遍採用。STI結構的形成通常是先在半導體基底上沉積一層氮化矽層，然後圖案化此氮化矽層 ...

淺槽隔離_百度百科

淺槽隔離(Shallow Trench Isolation；STI)技術製作主動區域之間的絕緣結構已逐漸被普遍採用。STI結構的形成通常是先在半導體基底上沉積一層氮化硅層，然後圖案化此氮化硅層 ...

淺溝渠元件隔離技術現況與挑戰

從IC元件設計的觀點而言，淺溝. 渠隔離技術(Shallow Trench Isolation,. STI)比起先前區域性矽表面氧化隔離技. 術(LOCal Oxidation of Silicon, LOCOS). 擁有多項的製程及 ...