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淺溝槽絕緣sti
淺溝槽絕緣(STI).▫LOCOS和PBL運作地很好當圖形尺寸>0.5μm時.▫當圖形尺寸
TWI390665B
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在過去的STI的製造方法中,首先,在矽基板等半導體基板上,積層矽氧化膜、多晶矽膜及矽氮化膜。接著,藉由光蝕刻技術來形成使元件分離區域開口的光阻層,將此作為光罩,對 ...
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