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淺溝槽絕緣sti
淺溝槽絕緣(STI).▫LOCOS和PBL運作地很好當圖形尺寸>0.5μm時.▫當圖形尺寸
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浅槽隔离(ShallowTrenchIsolation;STI)技术制作主动区域之间的绝缘结构已逐渐被普遍采用。STI结构的形成通常是先在半导体基底上沉积一层氮化硅层,然后图案化此氮化硅层 ...
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