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ild半導體
2021年6月14日—另一方面,越來越薄的ILD層,也使晶片製造者必須更慎重地應對由電漿誘發的損傷(PID)。ILD薄膜在整合過程中通過側壁暴露在蝕刻和灰化步驟中,這會影響薄膜 ...,在半導體製程中會沉積許多的薄膜在晶圓上以作為介電層、障壁層或導電層。當這些...故在多...
TW201530764A
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本發明提供一種半導體結構,其包括具有第一表面之半導體層以及界定該半導體層的第一表面上的金屬閘極之層間介電層(ILD)。該金屬閘極包括高k介電層、阻障層以及功函數 ...
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