半導體ldd
2022年12月17日—半導體製程中之汲極輕滲雜:LightlyDopedDrain.(LDD)有何作用???•因為GATE愈做愈小,使得source(S)和drain(D)兩端的距離變.得很 ...,2023年7月5日—5.LDD(→S/Dextension).LightlyDopedDrain輕參雜汲極;產生梯度結構,使Gate與Drain接面的峰值電場下降...
半导体栅极侧墙工艺的来龙去脉
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2022年7月29日—LDD工艺(轻掺杂漏):在漏极与沟道之间形成很一层很薄的轻掺杂区,降低漏极附近峰值电场强度,消弱热载流子效应。随之开发出栅极侧墙工艺,在侧墙形成前 ...
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