rpo製程

2008年5月16日—RPO(應該是TSMC的用詞，其他應用SAB)是用在silicideprocess，是用來擋住silicide在nitride上形成，同樣，它是用來避免ESD電流在nitride表面流過而對gate ...,PCAF記憶元的結構基礎為一個選取電晶體，利用內建於CMOS邏輯製程中的電阻保護氧化層(RPO，ResistanceProtectionOxide)作為寫入點氧化層，並利用此氧化層的硬崩潰作為單次 ...,在某些實施例中,阻擋保護氧化物(resistprotectivelayer;RPO)可形成在某些或全...

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2008年5月16日 — RPO(應該是TSMC的用詞，其他應用SAB)是用在silicide process，是用來擋住silicide在nitride上形成，同樣，它是用來避免ESD 電流在nitride表面流過而對gate ...

利用可寫入接點之新型反熔絲單次寫入型記憶元

PCAF記憶元的結構基礎為一個選取電晶體，利用內建於CMOS邏輯製程中的電阻保護氧化層(RPO，Resistance Protection Oxide)作為寫入點氧化層，並利用此氧化層的硬崩潰作為單次 ...

(12)發明說明書公告本

在某些實施例中,阻擋保護氧化物(resist protective layer;RPO)可形成在某些或全部的多晶矽電阻裝置230 ... 學機械研磨製程455 可停止於硬罩幕層420 並繼續過研 ... 閘極製程中, ...

TW201724525A

例示的光微影製程可包含製程步驟為光阻塗覆、軟烘烤、遮罩對準、曝光、曝光後烘烤 ... 以RPO層252覆蓋未使用矽化物製程的裝置區域。可藉由使用例如氧化物濕式蝕刻，局部 ...

TWI433265B

在某些實施例中，阻擋保護氧化物(resist protective layer；RPO)可形成在某些或全部的多晶矽電阻裝置230上，及可在隨後的矽化製程中作為矽化物的阻擋層。因此，多晶矽電阻 ...

應用於邏輯製程之回填型接觸點電阻式記憶體研究

由 陳宏昱 著作 · 2015 — ... RPO)效率。但因蝕刻變異性過大，導致薄膜厚度不均勻，進而導致電性變異與良率過低。 為此發展出新型結構為回填型接觸點電阻式記憶體(Backfill Contact Resistive ...

什麼是RPO？解析RPO 招募外包整合服務：提升企業招募效能 ...