半導體via

2020年6月29日—矽穿孔（英語：ThroughSiliconVia,常簡寫為TSV，也稱做矽穿孔）是一種穿透矽晶圓或晶片的垂直互連。...此一技術能夠以更低的成本有效提高系統的整合度 ...,TSV製程以目前開發的技術及製程的先後順序，可分為先鑽孔(ViaFirst)與後鑽孔(ViaLast)；採用ViaFirst製程均須在傳統後段封裝製程前進行導孔 ...,2010年10月12日—...Via,TSV)技術進行立體堆疊整合，以有效縮短金屬導線長度及連線電阻...材料與設備在半導體...

參考資訊如下
硅穿孔Through Silicon Via是什麼?

2020年6月29日 — 矽穿孔（英語：Through Silicon Via, 常簡寫為TSV，也稱做矽穿孔）是一種穿透矽晶圓或晶片的垂直互連。 ... 此一技術能夠以更低的成本有效提高系統的整合度 ...

Via First和Via Last

TSV製程以目前開發的技術及製程的先後順序，可分為先鑽孔(Via First)與後鑽孔(Via Last)；採用Via First製程均須在傳統後段封裝製程前進行導孔 ...

3D IC相關材料介紹(上)

2010年10月12日 — ... Via, TSV)技術進行立體堆疊整合，以有效縮短金屬導線長度及連線電阻 ... 材料與設備在半導體技術發展的趨勢上，始終扮演著重要且關鍵的角色，其開發的 ...

3D IC TSV製程技術簡介

2015年9月5日 — 近年來，半導體3D IC製程以及3D封裝廣泛的被很多國際研究機構與廠商重視，而在3D IC的技術中，矽導通孔(Through Silicon Via; TSV)、晶圓接合技術、晶 ...

Via-Reveal製程設備到位3D IC量產邁大步

2012年9月14日 — 為加速3D IC量產，半導體設備商除積極布局矽穿孔(TSV)製程外，亦加緊部署後段矽穿孔露出(Via-Reveal)技術，助力優化晶片堆疊組裝效率，目前包括應用材料( ...

產業評析全球3D IC 製程整合技術趨勢

3D IC 以TSV 蝕刻製程順序為分界可以區分成先穿孔製程(via first)、中穿孔製. 程(via ... 半導體金屬化製程(metallization process). 的應用，因此可以加速三維積體電路的 ...

矽穿孔TSV封裝

TSV為直通矽晶穿孔(Through-Silicon Via)封裝技術， 是一種能讓3D封裝遵循摩爾 ... 而先鑽孔製程中，通道完成於任何半導體製程前，因此更有技術上的挑戰，其製程構造 ...

TSV孔徑底材膜厚量測介紹：深入了解矽通孔技術

2024年1月23日 — 所謂的「TSV」，就是「Through Silicon Via」的英文縮寫。就字義上的翻譯來看，為「直通矽晶穿孔」，至於其定義於作用為何，則要從半導體的封裝技術開始說 ...

矽穿孔

矽穿孔（英語：Through Silicon Via, 常簡寫為TSV，也稱做矽通孔）是一種穿透矽晶圓或晶片的垂直互連。 TSV 是一種讓3D IC封裝遵循摩爾定律（Moore's Law）的互連 ...