gidl原理

由羅以倫著作·2010—因此閘極電.壓越負，或是汲極電壓增加，垂直電場越大，GIDL漏電流就越高。圖1-2、GIDL偏壓下能帶圖。圖1-3、GIDL偏壓下空乏區域圖。Page7.7.1.3短通道效應 ...,當柵漏交疊區處柵漏電壓VDG很大時，交疊區界面附近矽中電子在價帶和導帶之間發生帶帶隧穿形成電流，我們把這種電流稱之為GIDL隧穿電流。隨著柵氧化層越來越薄，GIDL隧穿 ...,GIDL(gate-induceddrainleakage)是指柵誘導漏極泄漏電流，對MOSFET的可...

參考資訊如下
1.1 環繞式閘極電晶體與多晶矽薄膜電晶體回顧

由 羅以倫 著作 · 2010 — 因此閘極電. 壓越負，或是汲極電壓增加，垂直電場越大， GIDL 漏電流就越高。 圖1-2、GIDL 偏壓下能帶圖。 圖1-3、GIDL 偏壓下空乏區域圖。 Page 7. 7. 1.3 短通道效應 ...

GIDL

當柵漏交疊區處柵漏電壓VDG很大時，交疊區界面附近矽中電子在價帶和導帶之間發生帶帶隧穿形成電流，我們把這種電流稱之為GIDL 隧穿電流。隨著柵氧化層越來越薄，GIDL 隧穿 ...

GIDL_百度百科

GIDL(gate-induced drain leakage) 是指柵誘導漏極泄漏電流，對MOSFET的可靠性影響較大。

MOS器件理论之–DIBL, GIDL （转）

2019年6月19日 — 2) GIDL (Gate-Induced-Drain-Leakage)：栅感应漏极漏电流。我们通常讲MOSFET漏电流(Ioff)，都知道是漏源之间亚阈值漏电流，或者Drain到Well的PN结漏 ...

MOS器件理论之–DIBL, GIDL （转）

2019年6月19日 — 2) GIDL (Gate-Induced-Drain-Leakage)：栅感应漏极漏电流。我们通常讲MOSFET漏电流(Ioff)，都知道是漏源之间亚阈值漏电流，或者Drain到Well的PN结漏 ...

MOS器件理论之–DIBL, GIDL （转） - 芯知社区

2019年6月19日 — 2) GIDL (Gate-Induced-Drain-Leakage)：栅感应漏极漏电流。我们通常讲MOSFET漏电流(Ioff)，都知道是漏源之间亚阈值漏电流，或者Drain到Well的PN结漏 ...

半导体器件——GIDL篇

2021年9月25日 — 要有交叠，这也是GIDL管的来源),引起了耗尽区电子空穴分离，载流子跃迁，电子流向drain端，空穴被扫入基底，由此形成漏电流。 NMOS 中GIDL 图解（横向、 ...

超薄閘氧化層低壓金氧半電晶體GIDL模型分析

... Gate-Induced Drain Leakage (GIDL). In this thesis, we investigate GIDL models with n-MOSFETs oxide thickness of 20 Å, 26 Å, and 50 Å, respectively. We show ...

閘極蝕刻與鰭式結構對於場效電晶體特性 ...

... (gate-induced drain leakage)(GIDL)，. 發生於閘極電壓遠小於汲極電壓時的汲極空乏 ... 為放大器操作原理的示意圖。想像有一個電子元件的輸出電壓與輸入電壓的關係. 如圖 ...