改善短通道效應

由 羅以倫 著作 · 2010 — ... 通道，如圖1-4，. 來提升閘極對通道的控制能力，改善短通道效應。元件完成後，經過氨電漿處理，. 發現整個電性有非常明顯的改善，包括高驅動電流，低次臨界擺幅達到.

2015年4月7日 — 影響推動力的最主要因素還是來自於短通道效應，特別是本身就已經夠短的30nm閘極通道更容易發生。為了解決短通道效應，有人會預先在通道形成的部位加入雜質 ...

2019年5月30日 — 這兩個主要的負面效應就叫短通道效應(short-channel effect)，從20幾nm就 ... 通道的兩面或三面包起來，大幅改善漏電流的問題。但是到了數nm，這方法又 ...

由 許子訓 著作 · 2007 — 將整個空隙填滿，包住整個通道，來提升閘極對通道的控制能力，改善短通道效應。元. 件完成後，經過氨電漿處理，發現它整個電性有非常明顯的改善，包括極高驅動電流，. 低 ...

為. 了改善薄膜電晶體的短通道效應，吾. 人提出了一種具有高效能的多重奈米. 線通道的多晶矽薄膜電晶體(8)。圖十五. (a)為掃描式電子顯微鏡(SEM)的俯視. 圖。每一個奈米線 ...

經由模擬軟體驗證得知內部阻絕層可有效抑制超短通道效應與改善熱不穩定度。最後，我們結合磊晶矽鍺薄膜製程（bSGMOS)在源╱汲極區成長矽鍺薄膜，利用應力提升元件電流驅動 ...

短通道效應（英語：short-channel effects）是當金屬氧化物半導體場效應管的導電溝道長度降低到十幾奈米、甚至幾奈米量級時，電晶體出現的一些效應。這些效應主要包括 ...

Fin-FET可大幅改善電晶體尺寸縮小時因短通道效應所造成的漏電流，減少了電晶體在關閉狀態下的功率損耗。由於手持式智慧產品的流行，電子產品不須一直插著電源線，而是依賴 ...

本論文第一部分，首先探討主流的矽電晶體，發現鰭式場效電晶體相較於平. 面式電晶體除了截止狀態的短通道效應控制較佳外，亦有在相同面積(footprint)下. 導通狀態電流較大 ...