短通道效應影響

由 許子訓 著作 · 2007 — ... 通道的影響，使得Vth不漂移。 ... 由於閘極對通道的控制能力佳，加上電漿修補製程，有效. 的減少晶粒邊界的缺陷密度(Trap Density)及降低短通道效應(Short Channel Effect)。

短溝道效應（英語：short-channel effects）是當金屬氧化物半導體場效應管的導電溝道長度降低到十幾納米、甚至幾納米量級時，電晶體出現的一些效應。這些效應主要包括閾值 ...

短溝道效應：緩變溝道的近似不再成立，這個二維電勢分佈會導致閾值電壓隨L的縮短而下降，亞閾值特徵的降級以及由於隧穿穿透效應而使電流飽和失效，在溝道出現二維電勢 ...

2019年5月30日 — 製程持續微縮後，通道也變短，載子在閘極沒有施加電壓時，也會從源極漏到汲極，這便是漏電流，伴隨而來的是焦爾效應產生的熱。這兩個主要的負面效應就叫短 ...

開關控制能力，減少短通道效應(Short. Channel Effect)的不良影響。使閘極氧. 化層變薄亦即增加閘極氧化層電容。 隨著通道的微縮，閘極氧化層薄至數. 個奈米時，用來絕緣 ...

2021年6月11日 — 短通道效應對奈米級晶片造成的影響就是，因為通道管不住電，所以只要一通電，晶片電晶體就會不停漏電，導致晶片發熱和功耗嚴重，影響使用壽命。 直到1999 ...

由 羅以倫 著作 · 2010 — 但電晶體的通道長度並無法無限制的縮短，因通道長度縮短將衍生出. 許多問題，這種現象稱為短通道效應(Short Channel Effects)。而通道的定義為源. 極到汲極的距離。此效應 ...

2020年7月30日 — Body effect: 在body施加比S極更低的電壓空乏區往通道延伸空乏區變大使閥值電壓(Vt)變大short channel effect:在D極施加高電壓D極的空乏區變大通道變 ...