gidl定義

由羅以倫著作·2010—GIDL漏電流[24,25]發生在閘極與汲極重疊區域(GatetoDrainOverlap.Region)，在...本實驗定義Ion/IoffRatio為取Vg=10V下的Id為Imax除以Id的最小值。開關比 ...,,GIDL-網頁萃取技術的一般化介面定義語言之研究.論文名稱(外文):,GIDL：GeneralInterfaceDefinitionLanguageforWebExtraction.指導教授:吳毅成.指導教授(外文): ...,GIDL(gate-induceddrainleakage)是指柵誘導漏極泄漏電流，對MOSFET的可靠性影響較...

參考資訊如下
1.1 環繞式閘極電晶體與多晶矽薄膜電晶體回顧

由 羅以倫 著作 · 2010 — GIDL 漏電流[24,25]發生在閘極與汲極重疊區域(Gate to Drain Overlap. Region)，在 ... 本實驗定義Ion/Ioff Ratio 為取Vg = 10V 下的Id 為Imax 除以Id 的最小值。 開關比 ...

GIDL

GIDL

GIDL-網頁萃取技術的一般化介面定義語言之研究. 論文名稱(外文):, GIDL：General Interface Definition Language for Web Extraction. 指導教授: 吳毅成. 指導教授(外文): ...

GIDL

GIDL(gate-induced drain leakage) 是指柵誘導漏極泄漏電流，對MOSFET的可靠性影響較大。

GIDL:定義GIDL(gated

定義GIDL(gated-induce drain leakage) 是指柵誘導漏極泄漏電流，對MOSFET的可靠性影響較大。MOSFET 中引發靜態功耗的泄漏電流主要有：源到漏的亞閾泄漏電流， ...

GIDL_百度百科

GIDL(gate-induced drain leakage) 是指柵誘導漏極泄漏電流，對MOSFET的可靠性影響較大。

低溫複晶矽薄膜電晶體中汲極漏電流抑制方法之研究

由 張宜菁 著作 · 2010 — 為了分析LTPS-TFTs元件之漏電特性，我們利用製程模擬軟體定義出元件的二維架構 ... GIDL)，增加低溫複晶矽薄膜電晶體的開關電流比，且針對修復速度、可靠度做詳細的分析 ...

半导体器件——GIDL篇

2021年9月25日 — Definition: Gate Induced Drain Leakage; 以NMOS为例，当gate不加压或加负压，drain端加高电压, 使得gate和drain的交叠区域出现了一个从drain ...

金屬氧化物半導體場效電晶體之製作

Gate-Induced Drain Leakage (GIDL). Off-state (V. G. <0 for nFET). Band-to-band tunneling. Page 15. Inversion Layer Thickness. Capacitance equivalent ...