短通道效應定義

,2020年7月30日—Bodyeffect:在body施加比S極更低的電壓空乏區往通道延伸空乏區變大使閥值電壓(Vt)變大shortchanneleffect:在D極施加高電壓D極的空乏區變大通道變 ...,2019年5月30日—製程持續微縮後,通道也變短,載子在閘極沒有施加電壓時,也會從源極漏到汲極,這便是漏電流,伴隨而來的是焦爾效應產生的熱。這兩個主要的負面效應就叫短 ...,一般情況下MOSFET元件的臨限電壓會隨著通道長.度“L”縮減而下降,這稱為“短通道效應(s...

[課業] 電子學body effect跟短通道效應的問題

2020年7月30日 — Body effect: 在body施加比S極更低的電壓空乏區往通道延伸空乏區變大使閥值電壓(Vt)變大short channel effect:在D極施加高電壓D極的空乏區變大通道變 ...

二維材料於場效電晶體的應用

2019年5月30日 — 製程持續微縮後,通道也變短,載子在閘極沒有施加電壓時,也會從源極漏到汲極,這便是漏電流,伴隨而來的是焦爾效應產生的熱。這兩個主要的負面效應就叫短 ...

以模糊及類神經理論探討次微米MOSFET 元件

一般情況下MOSFET 元件的臨限電壓會隨著通道長. 度“L” 縮減而下降,這稱為“短通道效應(short-channel effect)” [2, 10]當金氧半電晶體的通道長度縮小時(小於1 pm),實驗上臨 ...

奈米科技研究所

由 許子訓 著作 · 2007 — 但電晶體的通道長度並無法無限制的縮短,因通道長度縮短將衍生出許多問題,這. 種現象稱為短通道效應(Short Channel Effects)。而通道的定義為源極到汲極的距離。此. 效應 ...

短沟道效应

短沟道效应(英語:short-channel effects)是当金属氧化物半导体场效应管的导电沟道长度降低到十几纳米、甚至几纳米量级时,晶体管出现的一些效应。这些效应主要包括 ...

短溝道效應

短溝道效應(英語:short-channel effects)是當金屬氧化物半導體場效應管的導電溝道長度降低到十幾納米、甚至幾納米量級時,電晶體出現的一些效應。這些效應主要包括閾值 ...

短溝道效應_百度百科

短溝道效應(英語:short-channel effects)是當金屬氧化物半導體場效應管的導電溝道長度降低到十幾納米、甚至幾納米量級時,晶體管出現的一些效應。這些效應主要包括閾值 ...

短通道效應

短通道效應(英語:short-channel effects)是當金屬氧化物半導體場效應管的導電溝道長度降低到十幾奈米、甚至幾奈米量級時,電晶體出現的一些效應。這些效應主要包括 ...

矽鍺通道與CESL 應力層之機械性質對N 型奈米元件之影響

... 通道長度小. 於約1 μm 時,這些短通道會出現無法預測的現象,稱之為短通道效應. (Short-Channel Effect) ,通道長度調變(Channel Length Modulation) 、臨界. 電壓下滑 ...