短通道效應缺點

由 羅以倫 著作 · 2010 — 當汲極電壓在短通道下加大，汲極端會引發位能障下降(Drain Induce. Barrier Lowing, mV/V)，導致電子容易由源極端經通道進入汲極，造成漏電流上. 升，在較長的通道亦可看見 ...

2015年4月7日 — 影響推動力的最主要因素還是來自於短通道效應，特別是本身就已經夠短的30nm閘極通道更容易發生。為了解決短通道效應，有人會預先在通道形成的部位加入雜質 ...

2020年7月30日 — Body effect: 在body施加比S極更低的電壓空乏區往通道延伸空乏區變大使閥值電壓(Vt)變大short channel effect:在D極施加高電壓D極的空乏區變大通道變 ...

2019年5月30日 — 製程持續微縮後，通道也變短，載子在閘極沒有施加電壓時，也會從源極漏到汲極，這便是漏電流，伴隨而來的是焦爾效應產生的熱。這兩個主要的負面效應就叫短 ...

由 許子訓 著作 · 2007 — 但電晶體的通道長度並無法無限制的縮短，因通道長度縮短將衍生出許多問題，這. 種現象稱為短通道效應(Short Channel Effects)。而通道的定義為源極到汲極的距離。此. 效應 ...

短溝道效應（英語：）是當金屬氧化物半導體場效應管的導電溝道長度降低到十幾納米、甚至幾納米量級時，電晶體出現的一些效應。這些效應主要包括閾值電壓隨着溝道長度 ...

短通道效應（英語：short-channel effects）是當金屬氧化物半導體場效應管的導電溝道長度降低到十幾奈米、甚至幾奈米量級時，電晶體出現的一些效應。這些效應主要包括 ...

貴等缺點。但實際上，電晶體 ... 比較線性區與飽和區求得之臨界電壓值；在長通道結構時獲得的VT,lin. 與VT,sat 相差無幾，然而當考慮短通道結構之時，由於短通道效應之緣故，.

等，這些元件各具特徵及優缺點，本文即. 針對相關結構之元件作一介紹。 SOI CMOS. SOI ... Swing及短通道效應，對元件尺寸之縮小. 極有助益。跟前面的型態相比，FinFET.