gidl效應

由 羅以倫 著作 · 2010 — GIDL效應和糾結效應。 本實驗雖然犧牲了少許次臨界擺幅和驅動電流特性，但明顯的抑制了閘極引. 發漏電流(GIDL)，而提升了元件的整體特性。但在本實驗沒有測試出非對稱閘 ...

本发明提供的减小MOS IO器件GIDL效应的方法，在多晶硅栅刻蚀形成后，先进行IO器件的源漏扩展区的离子注入，然后进行多晶硅氧化形成氧化层。MOS IO器件源漏扩展区离子 ...

GIDL(gate-induced drain leakage) 是指柵誘導漏極泄漏電流，對MOSFET的可靠性影響較大。

对于MOS器件尺寸减小，会带来短沟道效应。其中就有GIDL （gate induced drAIn leakage）和DIBL（drain induced barrier lowering）。不知道在器件分析的时候，I-V ...

2019年6月19日 — 2) GIDL (Gate-Induced-Drain-Leakage)：栅感应漏极漏电流。我们通常讲MOSFET漏电流(Ioff)，都知道是漏源之间亚阈值漏电流，或者Drain到Well的PN结漏 ...

由 張宜菁 著作 · 2010 — 在實驗方面，本論文探討熱電洞注入效應對元件的影響，利用能帶間熱電洞的注入效應，改善閘極引發汲極漏電流(Gate-induced-drain-leakage current, GIDL)，增加低溫複晶 ...

2021年9月25日 — Definition: Gate Induced Drain Leakage; 以NMOS为例，当gate不加压或加负压，drain端加高电压, 使得gate和drain的交叠区域出现了一个从drain ...

由 許子訓 著作 · 2007 — 而β電流增益隨基極寬度減小而增大，因此當元件通. 道縮短，會造成GIDL電流放大，此為短通道效應之一[37]。 圖4-14為在不同的閘極長度下，所觀察到的GIDL，元件在固定的Vd= ...

電子屏蔽效應(screening effect)，閘極控制能力必然不如汲極，故汲極會在遠離閘 ... (gate-induced drain leakage)(GIDL)，. 發生於閘極電壓遠小於汲極電壓時的汲極空乏 ...