gidl解釋

由羅以倫著作·2010—GIDL漏電流[24,25]發生在閘極與汲極重疊區域(GatetoDrainOverlap.Region)，在...因此閘極電.壓越負，或是汲極電壓增加，垂直電場越大，GIDL漏電流就越高。圖1 ...,2023年7月11日—顾名思义，GIDL即是Gate与Drain之间的漏电。从物理上来说，栅极与漏极之间有绝缘层相隔，如果发生漏电则必须要有一定的交叠区域， ...,GIDL(gate-induceddrainleakage)是指柵誘導漏極泄漏電流，對MOSFET的可靠性影響較大。,2019...

參考資訊如下
1.1 環繞式閘極電晶體與多晶矽薄膜電晶體回顧

由 羅以倫 著作 · 2010 — GIDL 漏電流[24,25]發生在閘極與汲極重疊區域(Gate to Drain Overlap. Region)，在 ... 因此閘極電. 壓越負，或是汲極電壓增加，垂直電場越大， GIDL 漏電流就越高。 圖1 ...

EDA探索丨第7期：GIDL：DIBL的远房兄弟

2023年7月11日 — 顾名思义，GIDL即是Gate与Drain之间的漏电。从物理上来说，栅极与漏极之间有绝缘层相隔，如果发生漏电则必须要有一定的交叠区域， ...

GIDL_百度百科

GIDL(gate-induced drain leakage) 是指柵誘導漏極泄漏電流，對MOSFET的可靠性影響較大。

MOS器件理论之–DIBL, GIDL （转）

2019年6月19日 — 2) GIDL (Gate-Induced-Drain-Leakage)：栅感应漏极漏电流。我们通常讲MOSFET漏电流(Ioff)，都知道是漏源之间亚阈值漏电流，或者Drain到Well的PN结漏 ...

MOS器件理论之–DIBL, GIDL （转）

2019年6月19日 — 2) GIDL (Gate-Induced-Drain-Leakage)：栅感应漏极漏电流。我们通常讲MOSFET漏电流(Ioff)，都知道是漏源之间亚阈值漏电流，或者Drain到Well的PN结漏 ...

MOS器件理论之–DIBL, GIDL （转） - 芯知社区

MOS管GIDL效应

2012年8月8日 — 谁能详细解释一下GIDL（栅感应漏电电流），机理及影响。 ... 是DIBL吧，就是漏源极正向偏压很大的时候，漏结势垒区向沟道移动，电场线会导致沟道界面处的 ...

半导体器件——GIDL篇

2021年9月25日 — Definition: Gate Induced Drain Leakage; 以NMOS为例，当gate不加压或加负压，drain端加高电压, 使得gate和drain的交叠区域出现了一个从drain ...

閘極蝕刻與鰭式結構對於場效電晶體特性 ...

... (gate-induced drain leakage)(GIDL)，. 發生於閘極電壓遠小於汲極電壓時的汲極空乏 ... 解釋，一是氧化物半導體界面存在介面能態，當介面能態進行充放電時會造成位. 能的 ...

高壓N型元件中閘極引發汲極漏電流原因及改善方式研究

由 廖御傑 著作 · 2011 — The Root Cause and Improvement of GIDL Breakdown in High Voltage nMOSFETs ... 然而我們可以藉由實驗的結果以及論點來解釋崩潰電壓與摻雜濃度、摻雜能量之間的關聯性 ...