改善短通道效應
由羅以倫著作·2010—...通道,如圖1-4,.來提升閘極對通道的控制能力,改善短通道效應。元件完成後,經過氨電漿處理,.發現整個電性有非常明顯的改善,包括高驅動電流,低次臨界擺幅達到.,2015年4月7日—影響推動力的最主要因素還是來自於短通道效應,特別是本身就已...
為.了改善薄膜電晶體的短通道效應,吾.人提出了一種具有高效能的多重奈米.線通道的多晶矽薄膜電晶體(8)。圖十五.(a)為掃描式電子顯微鏡(SEM)的俯視.圖。每一個奈米線 ...
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1.1 環繞式閘極電晶體與多晶矽薄膜電晶體回顧
由 羅以倫 著作 · 2010 — ... 通道,如圖1-4,. 來提升閘極對通道的控制能力,改善短通道效應。元件完成後,經過氨電漿處理,. 發現整個電性有非常明顯的改善,包括高驅動電流,低次臨界擺幅達到.
二維材料於場效電晶體的應用
2019年5月30日 — 這兩個主要的負面效應就叫短通道效應(short-channel effect),從20幾nm就 ... 通道的兩面或三面包起來,大幅改善漏電流的問題。但是到了數nm,這方法又 ...
奈米科技研究所
由 許子訓 著作 · 2007 — 將整個空隙填滿,包住整個通道,來提升閘極對通道的控制能力,改善短通道效應。元. 件完成後,經過氨電漿處理,發現它整個電性有非常明顯的改善,包括極高驅動電流,. 低 ...
奈米電子元件
為. 了改善薄膜電晶體的短通道效應,吾. 人提出了一種具有高效能的多重奈米. 線通道的多晶矽薄膜電晶體(8)。圖十五. (a)為掃描式電子顯微鏡(SEM)的俯視. 圖。每一個奈米線 ...
短通道效應
短通道效應(英語:short-channel effects)是當金屬氧化物半導體場效應管的導電溝道長度降低到十幾奈米、甚至幾奈米量級時,電晶體出現的一些效應。這些效應主要包括 ...
積體電路中的靈魂-電晶體|最新文章
Fin-FET可大幅改善電晶體尺寸縮小時因短通道效應所造成的漏電流,減少了電晶體在關閉狀態下的功率損耗。由於手持式智慧產品的流行,電子產品不須一直插著電源線,而是依賴 ...
閘極蝕刻與鰭式結構對於場效電晶體特性 ...
本論文第一部分,首先探討主流的矽電晶體,發現鰭式場效電晶體相較於平. 面式電晶體除了截止狀態的短通道效應控制較佳外,亦有在相同面積(footprint)下. 導通狀態電流較大 ...