大馬士革半導體
本发明涉及半导体制造领域,尤其涉及一种大马士革制造工艺,通过在铜互连线上覆盖可防铜扩散的金属保护层,并且不在铜互连线上覆盖介电阻挡层,不仅相应提高了铜互连线 ...,2021年12月1日—大马士革damascene工艺在半导体行业指的一种金属镶嵌工艺铜的电阻率比铝低且...
淺溝槽隔離與雙大馬士革內連線結構研究成果報告(精簡版)
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半導體前段與後段製程之應力與可靠度分析:淺溝槽隔離.與雙大馬士革內連線結構.研究成果報告(精簡版).計畫類別:個別型.計畫編號:NSC95-2221-E-006-038-.執行期間 ...
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