ild半導體
2021年6月14日—另一方面,越來越薄的ILD層,也使晶片製造者必須更慎重地應對由電漿誘發的損傷(PID)。ILD薄膜在整合過程中通過側壁暴露在蝕刻和灰化步驟中,這會影響薄膜 ...,在半導體製程中會沉積許多的薄膜在晶圓上以作為介電層、障壁層或導電層。當這些...故在多...
半導體裝置及其製作方法
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由簡昭欣著作·2018—ILD層250之具體材料包含二氧化.矽、氮氧化矽或碳氧化矽。圖2G之結構接著通過平坦化操.作,例如:CMP與閘極接觸形成。【0031】ILD層250係被圖案化,以移除部份之ILD層.250 ...
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