vls機制

摘要. 本研究以氣-液-固( VLS )三相成長機制，於矽基板上磊晶成長碳化矽薄膜。VLS 成長機制能夠克服目前最常使用的單一種化學氣相沉積法或物理氣相傳輸技術生長碳化矽 ...

... 機制，利用奈米金屬或金屬化合物為催化劑輔助成長。雖然，有人提出PAMBE可能亦為VLS的一種，但並無非常明確的證據顯示為VLS的成長機制，例如：在奈米柱頂端測得Ga的金屬。

VLS机制是由Wagner和Ellis于1964年为了解释包含杂质的晶须定向生长而提出的。后来发现VIS机制在薄膜和晶体生长中也占有很重要的位置。以硅纳米线的形成过程为例：首先在硅 ...

由 施承達 著作 · 2006 — 本研究使用墊當催化劑，以氣－液－固(VLS)機制在矽基板上成功長出氮化鎵奈米線。藉由改變通入載氣流量的比例，則可以使奈米線分布均勻和其密度、長度增加。由表面形貌 ...

本研究中透過汽-液-固相(VLS)生長機制，並使用金與氧化鋅在基板上當作催化劑在 ... 研究結果顯示，溫度、時間、觸媒等條件會對利用VLS機制成長之氧化鋅奈米線有很大的影響。

由 鄭景升 著作 · 2002 — 我們成功的利用化學傳輸沉積系統經由VLS方法在最佳條件下將氧化鋅奈米線成長在多孔矽基板上。在掃描式電子顯微鏡的影像中，所有成長在多孔矽基板上的奈米線在尺度上比 ...

VLS 機制成長二氧化錫奈米線暨微結構與元件特性分析. 二氧化錫奈米線是藉由熱蒸鍍法(thermal vapor deposition method)來成長，為避免奈米線的直. 徑分布不均，成長方式由 ...

由 吳佳玲 著作 · 2003 — 利用VLS 機制成長奈米線，可藉由催化劑顆粒之大小來控制. 奈米線之直徑分布；此外藉由催化劑薄膜或顆粒的選擇性沉積，可於基板. 上選擇性成長奈米管或奈米線[30,64,100]。