不同維度氧化鋅材料之製備與特性分析

本研究中透過汽-液-固相(VLS)生長機制，並使用金與氧化鋅在基板上當作催化劑在 ... 研究結果顯示，溫度、時間、觸媒等條件會對利用VLS機制成長之氧化鋅奈米線有很大的影響。

VLS机制是由Wagner和Ellis于1964年为了解释包含杂质的晶须定向生长而提出的。后来发现VIS机制在薄膜和晶体生长中也占有很重要的位置。以硅纳米线的形成过程为例：首先在硅 ...

2011年4月20日 — ... VLS機制形成。根據以此低溫化氣相沉積法成長的氧化奈米柱型態，如圖一所示，我們認為以此方法沉積氧化鋅晶體時，由於沿著此六方晶體不同晶面的成長 ...

由 吳佳玲 著作 · 2003 — 米線經由VLS 機制成長的過程，且可確認奈米線頂端為金鍺共晶的合金液. 滴[12]。但若以VLS 機制成長兩個元素以上之奈米線，以氧化鋅系統為例，. 則基板需達金鋅互溶的溫度 ...

二氧化錫(SnO2)是一種知名的n-type半導體其應用範圍非常廣泛，而其奈米線(nanowires)由於擁有一維奈米材料的特殊性質非常適合進行研究，本實驗的二氧化錫奈米線是藉由 ...

論文摘要利用熱蒸鍍法經由VLS成長機制在爐管內成長硒化鋅奈米線，以硒化鋅粉末作為前驅物置於管內，2、5及10奈米金薄膜的(100)矽基板做為成長基板，利用金顆粒作為成核催化 ...

摘要. 本研究以氣-液-固( VLS )三相成長機制，於矽基板上磊晶成長碳化矽薄膜。VLS 成長機制能夠克服目前最常使用的單一種化學氣相沉積法或物理氣相傳輸技術生長碳化矽 ...

由 林建宏 著作 · 2019 — 對於奈米碳管的生成機理（Growth Mechanism），過去也有不少的論述，特別是氣相－液相－固相（Vapor-Liquid-Solid-VLS）的成長模式。一般闡述奈米碳管成長過程的重要機理， ...

由 陳怡文 著作 · 2007 — 本研究是利用自我催化(self-catalysted)成長之氣態—液態—固態方法（VLS method），藉由ZnO:Ga/SiO2/Si基板上，成長出品質良好之單晶、垂直氧化鋅奈米線（ZnO nanowires）。