pram記憶體

2016年7月11日—DRAM發展快到盡頭,磁性記憶體(MRAM)和相變記憶體(PRAM)是最有潛力的接班人?IBM和三星電子最近宣稱,「自旋傳輸磁性記憶體(STT-MRAM)」的研究出現突破, ...,記憶體是一種半導體元件,在積體電路上作為資料儲存元件使用。這些元件提供數種格式,包括CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、快閃、FRAM、NVSRAM、PCM(PRAM)、PSRAM、 ...,2020年4月26日—目前新興記憶體主要包括鐵電隨機存取記憶體(FRAM)、相變化隨機...

DRAM掰掰,次世代記憶體換MRAM、PRAM當家?

2016年7月11日 — DRAM發展快到盡頭,磁性記憶體(MRAM)和相變記憶體(PRAM)是最有潛力的接班人?IBM和三星電子最近宣稱,「自旋傳輸磁性記憶體(STT-MRAM)」的研究出現突破, ...

PCM (PRAM) 記憶體| 記憶體

記憶體是一種半導體元件,在積體電路上作為資料儲存元件使用。這些元件提供數種格式,包括CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、快閃、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、 ...

〈觀察〉被視為夢幻記憶體的MRAM 為何吸引半導體大廠相繼 ...

2020年4月26日 — 目前新興記憶體主要包括鐵電隨機存取記憶體(FRAM)、相變化隨機存取記憶體(PRAM)、磁阻式隨存取記憶體(MRAM) 及可變電阻式隨機存取記憶體(RRAM) 等 ...

剖析5種傳統及3種新型記憶體

2017年9月11日 — PRAM:另一類新型記憶體是PRAM。它也是一種三明治的結構。中間是相變層(和光碟材料一樣,GST),這種材料的一個特性是會在 ...

日商開發穩定省電之PRAM記憶體

報導指出,一般認為PRAM將成快閃記憶體替代品,日本廠商將於後年推出試作品。PRAM是一種即使切掉電源,資料也不會消失的不揮發性記憶體。它以加熱、冷卻形成結晶與非結晶 ...

更快、更穩、不失憶的新世代記憶體

2019年7月1日 — DRAM、SRAM、PRAM, FRAM, RRAM、MRAM、SOT MRAM,各式各樣的記憶體,它們的名稱看起來很像,其實各有優缺點,誰會成為未來記憶體的共主?

相變化記憶體

相變化記憶體(英語:Phase-change memory,英語:Ovonic Unified Memory,英語:Chalcogenide RAM,簡稱PCM, PRAM, PCRAM, CRAM),又譯為相變位記憶體,是一種非揮發 ...

磁阻式隨機存取記憶體

磁阻式隨機存取記憶體(Magnetoresistive Random Access Memory,縮寫為MRAM),是一種非易失性記憶體技術,從1990年代開始發展。這個技術的擁護者認為,這個技術速度 ...

科普:從物理機制到仿生運算,「電阻式記憶體」為何備受期待?

2022年4月25日 — 過去數十年來在世界各國合力開發下,已初略成形的次世代非揮發性記憶體技術包括鐵電記憶體(FRAM)、相變化記憶體(PRAM)、磁阻式記憶體(MRAM)、以及 ...