pram記憶體

由 蔡旻錞 著作 · 2009 — ... 記憶體（Flash Memory）的優點，近年來已被應用在. 記憶體元件，即所謂之相變化記憶體（Phase-change RAM，PRAM）之製作，也. 被看好是下一世代的新型記憶體。PRAM 製程 ...

2020年4月26日 — 目前新興記憶體主要包括鐵電隨機存取記憶體(FRAM)、相變化隨機存取記憶體(PRAM)、磁阻式隨存取記憶體(MRAM) 及可變電阻式隨機存取記憶體(RRAM) 等 ...

2022年4月25日 — 過去數十年來在世界各國合力開發下，已初略成形的次世代非揮發性記憶體技術包括鐵電記憶體（FRAM）、相變化記憶體（PRAM）、磁阻式記憶體（MRAM）、以及 ...

2016年7月10日 — DRAM發展快到盡頭，磁性記憶體(MRAM)和相變記憶體(PRAM)是最有潛力的接班人？IBM和三星電子最近宣稱，「自旋傳輸磁性記憶體(STT-MRAM)」的研究出現突破， ...

報導指出，一般認為PRAM將成快閃記憶體替代品，日本廠商將於後年推出試作品。PRAM是一種即使切掉電源，資料也不會消失的不揮發性記憶體。它以加熱、冷卻形成結晶與非結晶 ...

記憶體是一種半導體元件，在積體電路上作為資料儲存元件使用。這些元件提供數種格式，包括CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、快閃、FRAM、NVSRAM、PCM ...

2017年9月11日 — PRAM：另一類新型記憶體是PRAM。它也是一種三明治的結構。中間是相變層(和光碟材料一樣，GST)，這種材料的一個特性是會在 ...

摘要. 相變化記憶體具有非揮發性、速度快、低耗電以及容易跟CMOS製程整合等優點，是極具. 發展潛力的下一世代新記憶體。本文主要介紹相變化記憶體的操作原理並對於目前 ...

相變化記憶體（英語：Phase-change memory，英語：Ovonic Unified Memory，英語：Chalcogenide RAM，簡稱PCM, PRAM, PCRAM, CRAM），又譯為相變位記憶體，是一種非揮發 ...