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MOSi.均勻通道時之汲極電流(id庫倫moscv考慮在qnz方向單位面積於半導體表面所感應之電荷coxz方向單位面積氧化層電容大小qncox(vGSvthvDSmosqn ...,2021年10月7日—NMOS饱和区电流公式:.I_Dnmos}=-frac1}2}-mu_nC_.NMOS线性区电流公式:.I_Dnmos}=-mu_nC_ox}-fracW}.PMOS饱和区电流公式:.I_Dpmos}=-frac ...,2023年1月6日—通常,可利用以上公式計算出半導體的連續直流電流額定值。MOSFET有一個獨特的特性:電流和功率耗散呈平...
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Privacy Eraser Free 6.8.2 隱私清理不留痕跡
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