夾止電壓

MOSFET的輸出特性曲線有兩各顯著的操作區域，稱為”恆定電流阻區”與”恆定電流區”，當drain至source電壓增加時，drain電流亦會成比例地增加，直到drain至source電壓達到夾止( ...

◇ 若S 及D 均未夾止，由VGS 與VDS 均可改變IDS 大小. 1. 使空乏區重疊，通道消失的電壓稱為「夾止電壓VP」，假設為－4V。 2. 若VGS＝VP，源極夾止，無法發射電子， IDS ...

V 稱為夾斷電壓（pinch off voltage），以po. V 表示。圖. 4 中的. 3 po. V. V ... 【項目三】測量JFET 夾止電壓與 與 特性. （圖23）. 1、裝置圖23 之電路。圖 ...

由 可知逆向偏壓VGS與夾止電壓 的關係，當 時，對於任何 的電壓，都會使電流夾止，且夾止的電流，這表示通道已全被空乏區佔滿，所以截止電壓與夾止電壓的關係為：. 公式 ...

(A) 截止電壓(B) 崩潰電壓(C) 峰值反向電壓(D) 夾止電壓. ( B ) 9. 金氧半場效電晶體（metal-oxide-semiconductor FET）是以何種效應控制汲、源極間（drain-source ...

電壓控制電阻。 稱為夾止區， 飽和區，. 定電流區，可用於線性放大。 稱為 ...

2012年11月30日 — 題目: http://ppt.cc/wAOh 答案: http://ppt.cc/1ce_ 夾止電壓該怎麼用呢? 何時用? 上網查的描述是如下... 在VGS=0時，ID由歐姆定律的線性關係轉變成 ...

接面場效電晶體夾斷和控制的原理. 要夾止通道需要逆向偏壓。甚至同一型號的元件的夾止電壓也可能差異很大，一般在0.3至10伏之間。 假如在柵極和源極之間施一負電壓的話 ...

在通道的漏末端，反型區域的形狀變成夹止（pinched-off）。如果漏源電壓進一步增長，通道的夹止點將開始離開汲極，向源極移動。這種FET被稱為飽和模式； 一些作者把它稱 ...