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電子學gm公式
✧電晶體之增益轉導gm.Page3.(1)IDQ愈大→gm愈大.(2)若Vds大於Vds,sat→飽和區IDQ固定→gm固定.(3)若Vds小於Vds,sat→線性區IDQ不固定→gm∞Kn.✧例 ...,###濃度對PN接面之影響空乏區與濃度之關係:$N_nW_n=N_pW_p$,此公式建立在每單位面積之下。因此一側濃度越高,空乏區...
電子學考前筆記整理
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###濃度對PN接面之影響空乏區與濃度之關係:$N_nW_n=N_pW_p$,此公式建立在每單位面積之下。因此一側濃度越高,空乏區越小,反之濃度愈低,空乏區越大。也因為參雜濃度 ...
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