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電子學gm公式
✧電晶體之增益轉導gm.Page3.(1)IDQ愈大→gm愈大.(2)若Vds大於Vds,sat→飽和區IDQ固定→gm固定.(3)若Vds小於Vds,sat→線性區IDQ不固定→gm∞Kn.✧例 ...,###濃度對PN接面之影響空乏區與濃度之關係:$N_nW_n=N_pW_p$,此公式建立在每單位面積之下。因此一側濃度越高,空乏區...
第九章場效應電晶體放大電路
- transconductance單位
- 轉導放大器原理
- 互導
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- 轉導放大器原理
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- 轉導增益
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- 互 導 增益
- 夾止電壓
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- 電晶體轉導
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- transconductance單位
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- 運算轉導放大器
源極順向轉換互導(gm):單位”西門子”(Siemens以字母S表示),或姆歐(),典型值為1mS-20mS。定義:gm=.0.=dsgsdvvi.相關式:A.JFET及空乏型MOSFET的gm ...
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