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電子學gm公式
✧電晶體之增益轉導gm.Page3.(1)IDQ愈大→gm愈大.(2)若Vds大於Vds,sat→飽和區IDQ固定→gm固定.(3)若Vds小於Vds,sat→線性區IDQ不固定→gm∞Kn.✧例 ...,###濃度對PN接面之影響空乏區與濃度之關係:$N_nW_n=N_pW_p$,此公式建立在每單位面積之下。因此一側濃度越高,空乏區...
第4 章MOSFET 放大器講義與作業
- 轉導gm公式
- transconductance單位
- class ab原理
- 運算轉導放大器
- transconductance gm
- Transconductor 中文
- gm大小
- transconductance gm
- 電子學gm公式
- 跨導意義
- 互 導 增益
- transconductance unit
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- 半導體 gm
- 半導體 gm
- 夾止電壓
- 轉導gm
- 轉導放大器原理
- transconductance單位
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- 電晶體轉導
- transconductance mosfet
- single time constant
- 電子學gm公式
✧電晶體之增益轉導gm.Page3.(1)IDQ愈大→gm愈大.(2)若Vds大於Vds,sat→飽和區IDQ固定→gm固定.(3)若Vds小於Vds,sat→線性區IDQ不固定→gm∞Kn.✧例 ...
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