![電子學gm公式](https://host.easylife.tw/files/CopyTransShelbee.jpg)
電子學gm公式
✧電晶體之增益轉導gm.Page3.(1)IDQ愈大→gm愈大.(2)若Vds大於Vds,sat→飽和區IDQ固定→gm固定.(3)若Vds小於Vds,sat→線性區IDQ不固定→gm∞Kn.✧例 ...,###濃度對PN接面之影響空乏區與濃度之關係:$N_nW_n=N_pW_p$,此公式建立在每單位面積之下。因此一側濃度越高,空乏區...
高職數位教材發展與推廣計畫- 科單元教案設計表
- 轉導gm公式
- transconductance gm
- transconductance單位
- 電子學gm公式
- Transconductor 中文
- transconductance gm
- transconductance mosfet
- 轉導gm公式
- 轉導放大器原理
- 電子學gm公式
- 半導體 gm
- 轉導gm
- 運算轉導放大器
- 轉導gm
- 半導體 gm
- transconductance單位
- class ab原理
- 電子學gm公式
- 夾止電壓
- 跨導意義
- 半導體 gm
- Transconductor 中文
- 轉導放大器原理
- mosfet公式
- 電晶體轉導
** 本站引用參考文章部分資訊,基於少量部分引用原則,為了避免造成過多外部連結,保留參考來源資訊而不直接連結,也請見諒 **