雪崩光電二極體結構

雪崩光電二極管是一種p-n結型的光檢測二極管，其中利用了載流子的雪崩倍增效應來放大光電信號以提高檢測的靈敏度。其基本結構常常採用容易產生雪崩倍增效應的Read二極管 ...

雪崩光電二極體(APD)結構及原理,.當耗盡區中的場強達到足夠大（~3*1O^5V/cm）時，光生載流子將被加速到很高的速度，在運動過程中與晶格中的原子碰撞時會使之電離， ...

雪崩光電二極體(APD)：也稱為累崩光電二極管或崩潰光電二極體，是一種半導體光偵測器，其工作原理類似於光電倍增管。APD在施加更高的反向偏置電壓(矽材料通常為100-200 V) ...

2021年12月8日 — 雪崩光電二極體結構. PIN 光電二極體和雪崩光電二極體的結構相似，包括兩個重摻雜區和兩個輕摻雜區，重摻雜區域是P+ 和N+，而輕摻雜區域是I和P。 ... 在本徵 ...

2023年7月17日 — 雪崩光电二极管的基本结构与普通光电二极管相似，由P型和N型半导体材料构成。但与普通光电二极管不同的是，APD在P-N结附近添加了高掺杂的区域，称为雪崩区 ...

由 陳梓育 著作 · 2006 — 雪崩型光偵測器具有高內部增益且靈敏度高之特性，適合應用於長距離的光纖通訊系統。本論文主要是探討以砷化銦鋁鎵為雪崩型光偵測器之倍增材料，砷化銦鎵為吸收層材料， ...

雪崩光二極體具有和常規光電二極體相似的結構，但是需要高得多的逆向偏壓電壓。這將允許光照產生的載子通過突崩潰大量增加，在光電二極體內部產生內部增益，從而進一步改善 ...

雪崩光電二極體(APD)(又稱累崩光電二極體或崩潰光二極體)是一種半導體光檢測器，其原理類似於光電倍增管。在加上一個較高的反向偏置電壓後（在矽材料中一般為100-200 ...