淺溝渠隔離

淺槽隔離，即shallowtrenchisolation，簡稱STI。通常用於0.25um以下工藝，通過利用氮化硅掩膜經過澱積、圖形化、刻蝕硅後形成槽，並在槽中填充澱積氧化物， ...,由黃國峰著作·2011—淺溝槽隔離行為特性決定於氧化層化學汽相沉積及化學機械平坦技術。隨著積體電路元件尺寸縮小，伴隨而至在製造過程發生的微缺陷問題,如:氮化矽層無法有效停止化學機械研磨 ...,...淺溝渠隔離技術，此種將二氧化矽回填入淺溝渠再加上化學機械研磨（...

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淺槽隔離_百度百科

淺槽隔離，即shallow trench isolation，簡稱STI。通常用於0.25um以下工藝，通過利用氮化硅掩膜經過澱積、圖形化、刻蝕硅後形成槽，並在槽中填充澱積氧化物， ...

淺溝槽隔離平坦化技術在奈米半導體積體電路製造製程研究

由 黃國峰 著作 · 2011 — 淺溝槽隔離行為特性決定於氧化層化學汽相沉積及化學機械平坦技術。隨著積體電路元件尺寸縮小，伴隨而至在製造過程發生的微缺陷問題, 如: 氮化矽層無法有效停止化學機械研磨 ...

複晶矽緩衝層淺溝渠隔離技術之研究

... 淺溝渠隔離技術，此種將二氧化矽回填入淺溝渠再加上化學機械研磨（Chemical Mechanical Polishing）的隔離技術，除了可以得到完全平坦（Global Planarization）的隔絕 ...

CMOS淺溝槽隔離氧化層之高度差對元件特性之研究

本研究探討場發射金屬氧化半導電晶體（MOSFET）淺溝槽隔離絕緣層（Shallow Trench Isolation，STI）與鄰近電晶體主動區的高度差（Step-height）對元件特性的影響。

浅槽隔离

浅槽隔离，即shallow trench isolation，简称STI。通常用于0.25um以下工艺，通过利用氮化硅掩膜经过淀积、图形化、刻蚀硅后形成槽，并在槽中填充淀积氧化物，用于与硅 ...

淺槽隔離

淺槽隔離，即shallow trench isolation，簡稱STI。通常用於0.25um以下工藝，通過利用氮化矽掩膜經過澱積、圖形化、刻蝕矽後形成槽，並在槽中填充澱積氧化物， ...

淺溝渠元件隔離技術現況與挑戰

淺溝渠元件隔離技術現況與. 挑戰. 摘要. 淺溝渠隔離技術(Shallow Trench Isolation, STI)為先進IC奈米晶片製程中的關鍵技. 術。以化學機械研磨技術進行溝渠隔離氧化矽之回 ...