晶電砷化鎵

2023年12月27日 — 此外，晶電亦成功開發可接收波段900nm至1700nm的砷化鎵銦檢光二極體（InGaAs Photo Diode），目前兩項新技術均通過客戶驗證及採用，加速進入量產階段。

2024年1月2日 — 砷化鎵晶圓代工大廠穩懋二三年前十一月營收一四一．六九億元、年減十七．八％，前三季EPS負一．一元，營收組成以手機PA（cellular） ...

2023年9月7日 — 砷化鎵是第二代半導體的主要原料之一— 另一主要原料是磷化銦（InP）。隨著科技日益發展，現在市場的主流（例如：電動車、再生能源、高速通訊等），對於 ...

晶電公告 · 活動公告 · 技術發表 · 關於晶電 · 公司簡介 · 晶電大事記 · 晶電組織 · 全球 ... （1）磷化鋁鎵銦磊晶片與晶粒（2）砷化鋁鎵磊晶片與晶粒（3）氮化銦鎵磊晶片 ...

2021年2月24日 — 晶成半導體在一九年引進砷化鎵代工廠環宇通訊，成為持股三六％的第二大股東，「環宇在美國有四吋廠，需要六吋廠產能就可以來晶成半導體做。」晶電擁有光電 ...

砷化鎵（化學式：GaAs）是鎵和砷兩種元素所合成的化合物，也是重要的IIIA族、VA族化合物半導體材料，用來製作微波積體電路、紅外線發光二極體、半導體雷射器和太陽電池 ...

2023年8月3日 — 富采（3714）今舉行法說，針對中國8月1日起對鎵和鍺的出口管制，晶電董事長范進雍指出，公司在7月增加砷化鎵基板的庫存，目前已完成庫存準備，8月1日 ...

在Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體中，目前最廣泛應用在通訊產品上的就是砷化鎵(GaAs)材料，因此GaAs 能符合高頻高速通訊元件的特性要求，在通訊產業快速發展並對通訊元件要求輕、薄、 ...

2023年12月26日 — 此外，亦成功開發可接收波段900nm至1700nm的砷化鎵銦檢光二極體（InGaAs Photo Diode），目前兩項新技術均陸續通過客戶驗證及採用，加速進入量產階段。

最常見的高速砷化鎵元件是MESFET(Metal Semiconductor Field Effect Transistor)，是具有低價優勢的金屬半導體場效電晶體，全球大約超過95%的GaAs晶圓廠商擁有這種技術， ...