poly摻雜

2019年3月22日 — poly层就是我们通常所说的硅晶圆经过各种掺杂之后生成的不同的晶体管。金属层就是在后端设计中，通过布局布线形成的结构。金属层之间是IMD材料，即inter ...

4 天前 — POLY层掺杂有两种方式： 1）原位掺杂----淀积poly的过程中直接掺杂； 特点： Ø控制性更好；能够在材料生长或淀积的过程中实时监测和控制掺杂浓度， ...

是不是PMOS 的GATE掺杂植入后都是P+ POLY, NMOS 的GATE掺杂植入后都是N+ POLY 对工艺熟悉的朋友可以讨论一下。老故事了在很久以前都是n+, 但是pmos会被短沟道困扰， ...

Poly-Si 是以水平爐管LPCVD 的方式沈積，適用於MOSFETs 的閘極製程。 此Poly-Si 並未摻雜，阻值高，一般會以離子佈植做摻雜，加溫回火(Anneal)，. 使阻值降低。 反應 ...

本論文研究多晶矽(poly-Si)經能量5E+15 #/cm2的硼、磷摻雜後分別進行750°C、850°C、950°C快速熱退火(Rapid Thermal Annealing, RTA)與功率115W、125W、135W二氧化碳雷 ...

2019年6月15日 — 我们知道栅极的Poly是需要通过掺杂(doping)来降低阻值的，但是这样的doping在栅极电压下会发生doping浓度的变化，比如N-poly的NMOS加正电压，则N-type ...

2021年6月15日 — 我们知道栅极的Poly是需要通过掺杂(doping)来降低阻值的，但是这样的doping在栅极电压下会发生doping浓度的变化，比如N-poly的NMOS加正电压，则N-type ...

Poly-Si 2,000Å是以水平爐管LPCVD的方式沈積，適用於. MOSFETs的閘極製程。此Poly-Si 並未摻雜，阻值高，一. 般會以離子佈植做摻雜，加溫回火(Anneal)，使阻值降低。

2023年8月8日 — 因为NMOS poly掺杂是P或者AS，粒子较大，不容易扩散均匀；尤其是当N+掺杂深度跟poly厚度不匹配的时候，会让掺杂太浅。从而使NMOS靠近poly和栅氧交界的地方 ...

在源極與汲極之間被一個極性相反的區域隔開，也就是所謂的基極（或稱基體）區域。如果是NMOS，那麼其基體區的摻雜就是p-type。反之對PMOS而言，基體應該是n-type，而 ...