lpcvd爐管

這種用於實驗和研究(研發) 的小型生產直立式爐管實現了高品質的加工。 此爐結構輕巧，安裝面積小，可用於寬範圍的晶圓直徑，並具有與量產爐相同的溫度特性。

LPCVD 低壓氣象沉積系統 · 型號: LPCDHTF1200c · 加熱區: 12”dia x 48L · 最高溫: 1200C · Heater : R-Type, 3Set T/C, lead wire and head 160A, 380V/60Hz/3ph ...

LPCVD/擴散根據與SPP Technologies, Ltd. 所簽訂的協議，SPTS 為其提供各種大批量直立型爐管。我們可以提供經原廠認證的全新再製造系統以及自訂系統轉換， ...

由 黃毓珊 著作 · 2010 — 本文以形狀因子做為熱輻射計算的基礎，建立穩態溫度預測模式，此模式除了避免微分方程而利用代數方程式進行預測溫度計算外，並且考量到二維的溫度預測，對於實際半導體製程 ...

本研究更進一步建立LPCVD爐管晶圓溫度分佈之動態熱模式，模擬直立式LPCVD爐管製程機台內各晶圓升溫過程，並建立晶圓溫度操控系統；應用相對增益值陣列(RGA)分析環路間交互 ...

低真空化學氣相沉積（LPCVD）是一種化學氣相沉積技術，利用熱能在基板表面上引發前驅氣體的反應。表面的反應是形成固化材料的原因。低真空用於減少氣相反應，還可以 ...

Poly-Si 是以水平爐管LPCVD 的方式沈積，適用於MOSFETs 的閘極製程。 此Poly-Si 並未摻雜，阻值高，一般會以離子佈植做摻雜，加溫回火(Anneal)，. 使阻值降低。 反應 ...

本研究探討對象為半導體製程中薄膜成長之低壓化學氣相沉積爐(LPCVD furnace)。因晶圓溫度無法有效量測，一般藉由調整爐管溫度來操控晶圓溫度，而晶圓溫度對薄膜厚度有 ...

LPCVD Nitride 薄膜獨特的特性，就是高達1010dyne/cm2 以上的拉伸應. 力(Tensile Stress)，其薄膜厚度不宜超過一定範圍，以免發生Crack。 以PECVD 法所沉積的Nitride 則 ...

爐管產品根據與SPP Technologies, Ltd. 所簽訂的協議，SPTS提供一系列大批量立式爐（LPCVD）和APCVD系統。我們可以提供經原廠認證的全新再製造系統以及自訂系統轉換， ...