locos製程
【先前技術】.在目前半導體製程中,一般採用區域氧化法(localizedoxidationisolation,LOCOS)或是淺溝隔離(shallowtrenchisolation,STI)方法來.進行元件之間的隔離, ...,▫LOCOS和PBL運作地很好當圖形尺寸>0.5μm時.▫當圖形尺寸
功率電晶體製程改善暨靜電防護模型建立
- shallow trench isolation解釋
- pad oxide半導體
- pad oxide半導體
- 屏蔽氧化層
- locos sti比較
- reverse narrow width effect
- usg半導體
- shallow trench isolation中文
- corner rounding半導體
- sti divot formation
- deep trench isolation
- sti divot formation
- locos製程
- 淺溝槽絕緣sti
- shallow trench isolation解釋
- locos製程
- hump effect
- 側壁空間層
- 淺溝槽隔離
- shallow trench isolation半導體
- 淺溝槽絕緣sti
- sti divot
- sti淺溝槽
- locos sti比較
- shallow trench isolation解釋
在CMOS元件的製程中,需要用到隔離技術來隔離P型/N型接面,而隔離技術以LOCOS與STI較為普遍.使用,目前最先進的製程為STI淺槽隔離技術,故在本次研究中,將原本採用LOCOS ...
** 本站引用參考文章部分資訊,基於少量部分引用原則,為了避免造成過多外部連結,保留參考來源資訊而不直接連結,也請見諒 **